Харитонов Игорь Анатольевич

SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах

2020 · ARTICLE · ru

С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации параметров проиллюстрированы на примерах расчета ВАХ суб‑100 нм МОП-транзисторов.

Методика определения параметров SPICE-моделей для анализа влияния ОЯЧ на КМОП-схемы при уменьшении размеров транзисторов

2020 · ARTICLE · ru

Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из литературных данных по воздействию ОЯЧ на КМОП-схемы с различными проектными нормами.

Исследование характеристик и разработка моделей цифровых микросхем серии IN74AC04 с учетом низкоинтенсивного облучения

2020 · CHAPTER · ru

Приведено исследование характеристик и разработка SPICE моделей микросхем IN74AC04, содержащих в одном корпусе по четыре инвертора, для условий низкоинтенсивного гамма-излучения

Universal physical model of low-power and long lifetime betavoltaic microbatteries

2019 в печати · CHAPTER · en

I-V- Characteristics Analysis of Betavoltaic Microbatteries Using TCAD Model

2019 · ARTICLE · en

The complete analysis of I-V characteristics and set of basical parameters (Voc, Jsc, Idark, Pmax, η) for betavoltaic silicon batteries under Nickel-63 irradiation in temperature range 213-330 K is carried out using universal physical TCAD model. The standard TCAD optical generation model was adopted for simulation of electron-hole generation for beta particles irradiation. The pn-junction diode energy converters with real Gaussian doping profiles are considered instead of devices with abrupt profiles which were used in all previous works. The simulated current-voltage characteristics of the 63Ni-Si betavoltaic elements are in good agreement with the measured characteristics in the whole of temperature range.

Application of electro-thermo-rad models for spice simulation of digital CMOS circuit behavior with account for combined thermal and radiation effects

2018 · CHAPTER · en

Based on published SOI MOSFETs characteristic changes after TID irradiation in various thermal ambient parameters for electro-thermo-rad SPICE models were defined. Then the models were used for simulation of ring oscillator and single digital CMOS circuit behavior with account for combined thermal and radiation effects. For the case when elevated temperature (up to 200oC) results to enhanced interface traps generation in MOSFET oxides, the paper presents quantitative estimates for the increased degradation of ring oscillator and logic gate circuit characteristics under the mentioned conditions.

Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range

2018 · CHAPTER · en

Through the analysis of JFET models with account for temperature effects, the most suitable one was selected as a basis for expanding SPICE modeling possibilities to cryogenic-to-high temperature range. Parameter extraction procedure was automated and improved using IC-CAP scripting capabilities.

Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства

2018 · CHAPTER · ru

.

SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C

2018 · CHAPTER · ru

Представлен комплекс доработанных компактных spice-моделей полевых транзисторов: с изолированным затвором (МОПТ, MOSFET) и с p n-переходом (ПТП, JFET) – для схемотехнического моделирования в важном для космических применений диапазоне температуры до 200°C. Все модели построены с использованием подхода, сочетающего макромоделирование на основе стандартных моделей, имеющихся в библиотеке моделей spice, и введения аппроксимирующих зависимостей для температурно-зависимых пара-метров модели. Для всех моделей отработана унифицированная автоматизированная процедура экстракции параметров, обеспечивающая приемлемую для практических применений точность учёта электрических и температурных эффектов в диапазоне температуры от комнатной до 200°C.

SPICE моделирование КМОП ИС для экстремальных применений с помощью компактных «электро-термо-рад» моделей

2018 · CHAPTER · ru

Описаны «электро-термо-рад» модели стойких МОП транзисторов и примеры их использования для SPICE моделирование КМОП ИС с учетом совместного влияния факторов температуры и полученной дозы излучения.