DSA Faculty
API
← к списку преподавателей

Харитонов Игорь Анатольевич

Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Профиль на hse.ru ↗ тел.: +7 (495) 772-95-90 | 15214 | +7 (916) 314-04-61
Публикаций
115
Языков
1
Наград
7
Конференций
25
Профиль Публикации (115) Курсы (11)

Профессиональные интересы

SPICE моделированиерадиационные эффектыэлектро-тепловые эффектыэффекты старенияSPICE модели компонентов

Должности

  • Профессор — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии
  • Старший научный сотрудник — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии

Био

  • · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • · Научно-педагогический стаж: 32 года.

Образование

  • 2025 · Доктор наук: Московский институт электронной техники, тема диссертации: Методы и средства создания SPICE-моделей активных компонентов ИС с учётом воздействия температуры, радиации и эффектов старения
  • 2002 · Ученое звание: Доцент
  • 1998 · Кандидат наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», тема диссертации: разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно стойких МДП БИС
  • 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, специальность «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры», квалификация «Инженер-конструктор-технолог ЭВА»
  • 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «Конструирование и производство ЭВА»

Награды и поощрения

  • · Благодарность НИУ ВШЭ (январь 2026)
  • · Почётная грамота Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ (апрель 2022)
  • · Почетная грамота НИУ ВШЭ (март 2022)
  • · Благодарность проректора НИУ ВШЭ (октябрь 2018)
  • · Надбавка за академическую работу (2017–2018, 2016–2017)
  • · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018–2019)
  • · Лучший преподаватель — 2016–2018

Гранты и проекты

  • — · на соискание учёной степени кандидата наук

Конференции (25)

Показать все
  • · 2018: XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
  • · 2018: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
  • · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
  • · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • · 2017: XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • · 2016: The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
  • · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
  • · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
  • · 2016: Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
  • · 2016: 24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
  • · 2016: XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
  • · 2015: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
  • · 2015: Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
  • · 2015: The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography
  • · 2015: VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography
  • · 2015: Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
  • · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
  • · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
  • · 2015: International conference "Science in the modern information society IV" (North Charleston). Доклад: Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process.
  • · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov, Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components
  • · 2014: III Международная научно-практическая конференция Инновационные информационные технологии (Прага). Доклад: EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE
  • · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Идентификаторы исследователя

Публикации (115)

Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения

2022 · ARTICLE · ru

Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации.

DOI ↗ PDF ↗

Влияние эффектов старения на электрические характеристики интегральных КМОП ОУ при уменьшении минимальных размеров транзисторов

2022 · ARTICLE · ru

С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм.

DOI ↗ PDF ↗

Extension of the Capabilities of SPICE Analysis Tools for Electro-Thermal Simulation of Power Electronic Circuits

2022 · CHAPTER · en

DOI ↗ PDF ↗

SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C)

2021 · ARTICLE · en

The temperature range of SPICE models of bipolar and field-effect transistors is extended from the standard commercial level (-60...+150 °C) to harsh conditions level (-200...+300 °C) for low/high temperature ICs design. This is done by including additional equations for temperaturedependent parameters, and by connecting additional elements to the device equivalent circuit to take into account the thermal effects. The universal automated methodology of model parameters extraction from the experimental data measured at low and high temperatures is proposed. The good agreement between simulated and measured device characteristics is achieved. The RMS error is not more than 10–20%.

DOI ↗ PDF ↗

TCAD-model of betavoltaic battery with vertical micro trenches structure

2021 · CHAPTER · en

Для эффективного проектирования кремниевых бетавольтаических конструкций с траншеями была разработана, проверена и применена оригинальная TCAD-модель. Стандартная модель оптической генерации TCAD «оптический луч» была принята для моделирования генерации электронных дырок при облучении бета-частицами в элементной структуре с вертикальными микроканавками шириной 5 мкм. Главныйпараметры бетавольтаической структуры с канавками моделировались в зависимости от легирования подложки и сравнивались с таковыми для обычной планарной бетавольтаической структуры.

Расширение возможностей SPICE-подобных программ за счет учета эффектов старения в МОП схемах, обусловленных эффектами горячих носителей, пробоя диэлектрика и электромиграции

2021 · CHAPTER · ru

Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры моделирования характеристик аналоговых и цифровых фрагментов КМОП схем с учетом указанных эффектов старения.

DOI ↗ PDF ↗

Разработка цифровых двойников для мощных МОП транзисторов

2020 · CHAPTER · ru

Работа посвящена созданию цифровых двойников (ЦД) для отечественных мощных ДМОП транзисторов 2П829Д и 2П782Ж1. На основе анализа требований к цифровому двойнику, его необходимых частей и результатов измерений реальных образцов МОПТ разработаны их цифровые двойники на языке Python.

SPICE модели МОПТ, учитывающие эффекты старения

2020 · CHAPTER · ru

Рассмотрены и проанализированы схемотехнические (SPICE) модели МОП-транзисторов для учета эффектов старения (временнОй деградации) их параметров, обусловленных попаданием «горячих» носителей в подзатворный окисел вследствие сильных электрических полей в структурах МОПТ. Рассмотрены модели, используемые в коммерческих пакетах проектирования схем, предложенные другими авторами и разработанная автором макромодель МОПТ, учитывающая указанные эффекты старения.

DOI ↗ PDF ↗

Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели

2020 · CHAPTER · ru

Представлена TCAD-модель кремниевого бетавольтаического элемента для исследования зависимости характеристик элемента от его объемной структуры. Для имитации результатов генерации электронно-дырочных пар при воздействии излучения от источника бета-частиц применяется настроенная модель оптической генерации, имеющаяся в TCAD. Проведено исследование зависимости вольт-амперных характеристик бетавольтаического элемента от профиля легирующей примеси, температуры и типа полупроводникового материала для источника излучения Ni-63.

DOI ↗ PDF ↗

Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС

2020 · CHAPTER · ru

На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС.

DOI ↗

Курсы (11)