DSA Faculty
API
← к списку преподавателей

Харитонов Игорь Анатольевич

Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Профиль на hse.ru ↗ тел.: +7 (495) 772-95-90 | 15214 | +7 (916) 314-04-61
Публикаций
115
Языков
1
Наград
7
Конференций
25
Профиль Публикации (115) Курсы (11)

Профессиональные интересы

SPICE моделированиерадиационные эффектыэлектро-тепловые эффектыэффекты старенияSPICE модели компонентов

Должности

  • Профессор — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии
  • Старший научный сотрудник — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии

Био

  • · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • · Научно-педагогический стаж: 32 года.

Образование

  • 2025 · Доктор наук: Московский институт электронной техники, тема диссертации: Методы и средства создания SPICE-моделей активных компонентов ИС с учётом воздействия температуры, радиации и эффектов старения
  • 2002 · Ученое звание: Доцент
  • 1998 · Кандидат наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», тема диссертации: разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно стойких МДП БИС
  • 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, специальность «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры», квалификация «Инженер-конструктор-технолог ЭВА»
  • 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «Конструирование и производство ЭВА»

Награды и поощрения

  • · Благодарность НИУ ВШЭ (январь 2026)
  • · Почётная грамота Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ (апрель 2022)
  • · Почетная грамота НИУ ВШЭ (март 2022)
  • · Благодарность проректора НИУ ВШЭ (октябрь 2018)
  • · Надбавка за академическую работу (2017–2018, 2016–2017)
  • · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018–2019)
  • · Лучший преподаватель — 2016–2018

Гранты и проекты

  • — · на соискание учёной степени кандидата наук

Конференции (25)

Показать все
  • · 2018: XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
  • · 2018: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
  • · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
  • · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • · 2017: XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • · 2016: The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
  • · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
  • · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
  • · 2016: Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
  • · 2016: 24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
  • · 2016: XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
  • · 2015: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
  • · 2015: Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
  • · 2015: The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography
  • · 2015: VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography
  • · 2015: Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
  • · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
  • · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
  • · 2015: International conference "Science in the modern information society IV" (North Charleston). Доклад: Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process.
  • · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov, Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components
  • · 2014: III Международная научно-практическая конференция Инновационные информационные технологии (Прага). Доклад: EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE
  • · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Идентификаторы исследователя

Публикации (115)

SPICE Simulation of Total Dose and Aging Effects in MOSFET Circuits

2018 · CHAPTER · en

An extended version of MOSFET RAD SPICE model providing combined account for aging and total dose effects is described. The model uses summation of radiation induced (depending on dose rate, irradiation time, electrical bias) oxide and interface traps densities and interface densities produced by hot electrons to calculate MOSFET characteristics. The model was built using macromodeling approach, standard SPICE models for MOSFETs (BSIMSOI or EKV) and model parameters dependences on electrical stress and total dose irradiation factors. The developed model accounts for enhanced degradation due to combined TID and electrical stress conditions.

PDF ↗

Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C

2018 · CHAPTER · ru

.

PDF ↗

Учёт эффектов отжига радиационных эффектов в SPICE моделях МОП-транзисторов для расчётов радиационно стойких КМОП БИС

2018 · CHAPTER · ru

.

PDF ↗

Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС

2018 · ARTICLE · ru

Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия.

DOI ↗ PDF ↗

Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model

2017 · ARTICLE · en

The methodology of modeling and simulation of environmentally induced faults in radiation hardened SOI/SOS CMOS IC’s is presented. It is realized at three levels: CMOS devices – typical analog or digital circuit fragments – complete IC’s. For this purpose, a universal compact SOI/SOS MOSFET model for SPICE simulation software with account for TID, dose rate and single event effects is developed. The model parameters extraction procedure is described in great depth taking into consideration radiation effects and peculiarities of novel radiation-har­dened (RH) SOI/SOS MOS structures. Examples of radiation-induced fault simulation in analog and digital SOI/SOS CMOS LSI’s are presented for different types of radiation influence. The simulation results show the difference with experimental data not larger than 10‒20% for all types of radiation.

DOI ↗ PDF ↗

Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие

2017 · BOOK · ru

Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов и инженеров-практиков.

PDF ↗

Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation

2017 · ARTICLE · en

The specific nature of the process of measuring the electrical characteristics of bipolar and metal-oxidesemiconductor (MOS) transistors subjected to the action of neutron, electron, and gamma irradiation is considered. An automated measurement system is developed. Examples illustrating the use of the system for investigations of the radiation hardness of transistors are presented and the parameters of SPICE models for use in circuit design are determined.

DOI ↗ PDF ↗

High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C

2017 · CHAPTER · en

Currently, an increasing number of applications are demanding for electronic units capable of operating reliably in the high temperature range: automotive, airplane and space vehicles, geothermal and nuclear energy generation, deep hole drilling [1]–[5]. Today there are two main trends in high-temperature electronics: 1) device sizes scaling for high performance and low-power digital applications (microprocessors, memories, logic circuits etc.), 2) increasing diversification and specialization of analog applications: high resolution ADCs, voltage references, on-engine sensors (temperature probe, thermocouple, strain gauges, frequency), single ASICs etc.

DOI ↗ PDF ↗

Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)

2017 · CHAPTER · ru

.

PDF ↗

Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов

2017 · CHAPTER · ru

.

PDF ↗

Курсы (11)