Тютнев Андрей Павлович
Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова
Профессиональные интересы
Должности
- Профессор-исследователь — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии
Био
- · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
- · Научно-педагогический стаж: 57 лет.
Образование
- 1987 · Доктор физико-математических наук: специальность 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
- 1977 · Кандидат наук
- 1964 · Специалитет: Московский физико-технический институт, специальность «Экспериментальная ядерная физика», квалификация «Инженер-физик»
- 1964 · Специалитет: Московский физико-технический институт, факультет: Физико-химический, специальность «Прикладная ядерная физика»
Опыт работы
- · Доктор физико-математических наук: специальность 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
- · Специалитет: Московский физико-технический институт, специальность «Экспериментальная ядерная физика», квалификация «Инженер-физик»
- · Общий стаж: 58 лет
- · Научно-педагогический стаж: 52 года
- · Преподавательский стаж: 9 лет
- · Индекс Хирша WoS 19
Награды и поощрения
- · Медаль "Признание - 10 лет успешной работы" НИУ ВШЭ (июль 2025)
- · Благодарность НИУ ВШЭ (апрель 2025)
- · Почётная грамота Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ (октябрь 2022)
- · Надбавка за публикацию в журнале из Списка А (и приравненном к нему научном издании) (2024–2025)
- · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2020–2021, 2018–2020)
- · Надбавка за регулярные публикации в международных рецензируемых научных изданиях (2025–2030, 2021–2026)
- · Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом журнале (2014–2016, 2012–2014)
- · Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом научном издании (2016–2018)
- · Лучший преподаватель — 2015
Гранты и проекты
- — · на соискание учёной степени кандидата наук
Идентификаторы исследователя
- ORCID:
0000-0002-4706-3231 - ResearcherID:
G-7549-2014 - SPIN РИНЦ:
7765-1705 - Google Scholar: https://scholar.google.ru/citations?view_op=list_works&hl=ru&user=ceudosIAAAAJ&gmla=AJsN-F7cO6Bl9f2vzN3YnQV-E_g_7MaVjEmNRm9jvk0PGQZaIte5Ck2oHScqNHpklmejxUyMRNzfsB-YIGKheKjfMUa_osRohX1F7tIkBR8Pts3Xe76qdsNsBb1Zfe5bWHe-Y1ReMm_7U4nJMaF1Js-XYv31tUtOxQ
- Scopus AuthorID:
7005402871
Публикации (88)
Hole Transport and Biomolecular Recombination of Charge Carriers in Polycarbonate Molecularly Doped with Aromatic Hydrazone
2014 · ARTICLE · en
Abstract—General questions about hole transport and bimolecular recombination of charge carriers in molecularly doped polycarbonate with a low dopant concentration (10 wt %) are considered. The experiment is performed via a radiation-induced time-of-flight technique with bulk generation of charge carriers. Transient-current curves are calculated numerically via a multiple-trapping model. There is good agreement between the calculated and experimental results on the transient-current waveform. Nonequilibrium hole transport is observed in the studied molecularly doped polymer, and the bimolecular recombination is close to the Langevin recombination as described by the multiple-trapping model.
Бимолекулярная рекомбинация носителей заряда в чистом и молекулярно допированном разветвленном полифениленвинилене
2013 · ARTICLE · ru
Рассмотрены общие вопросы бимолекулярной рекомбинации носителей заряда как в чистом, так и в молекулярно допированном разветвленном полифениленвинилене. Экспериментальные иссле дования выполнены с помощью метода нестационарной радиационной электропроводности. Про ведены численные расчеты кривых переходного тока с использованием модели многократного за хвата. Достигнуто хорошее совпадение расчетных и экспериментальных кривых. В исследованных полимерах реализуется ланжевеновской механизм бимолекулярной рекомбинации.
Влияние заряженных центров на транспорт дырок в молекулярно допированных полимерах
2013 · CHAPTER · ru
Электронный транспорт в молекулярно допированных полимерах с энергией беспорядка более 0,09 эВ является неравновесным при комнатной температуре, что связано с более низкой подвижностью носителей заряда в приповерхностном слое, чем в основном слое. Выполнено численное решение уравнений модели многократного захвата с гауссовым распределением ловушек по энергии. Для получения плато найдено, что толщина дефектного слоя должна быть 0,55 мкм при подвижности дырок в нем в 18 раз более низкой, чем в объеме при толщине образцов около 23 мкм.
Relative permittivity of the dielectric composite with small doping of conductive nanoparticles
2013 · CHAPTER · en
We find and investigate the effect of an anomalous increase in the relative dielectric permittivity of a model composite dielectric consisting of a binder (paraffin) and a filler (100 nm particles of technical carbon). It is shown that the relative dielectric permittivity increases by more than 5 times compared with the estimated value for the mixture. The model was developed on the basis of the tendency of the conducting carbon nanoparticles to aggregate into electric dipoles preserving the anomalously large permittivity of the composite. It is shown that the effect depends on the preparation technology. If the melt solidification occurs under ultrasound vibrations the effect decreases by a factor of 3. The proposed model can be successfully used to develop space oriented composites because they should have enhanced conductivity combined with the low relative dielectric permittivity.
Charge carrier transport in molecularly doped polycarbonate as a test case for the dipolar glass model
2013 · ARTICLE · en
We present the results of Monte Carlo simulations of the charge carrier transport in a disordered molecular system containing spatial and energetic disorders using the dipolar glass model. Model parameters of the material were chosen to fit a typical polar organic photoconductor polycarbonate doped with 30% of aromatic hydrazone, whose transport properties are well documented in literature. Simulated carrier mobility demonstrates a usual Poole-Frenkel field dependence and its slope is very close to the experimental value without using any adjustable parameter. At room temperature transients are universal with respect to the electric field and transport layer hickness. At the same time, carrier mobility does not depend on the layer thickness and transients develop a well-defined plateau where the current does not depend on time, thus demonstrating a non-dispersive transport regime. Tails of the transients decay as power law with the exponent close to −2. This particular feature indicates that transients are close to the boundary between dispersive and non-dispersive transport regimes. Shapes of the simulated transients are in very good agreement with the experimental ones. In summary, we provide a first verification of a self-consistency of the dipolar glass transport model, where major transport parameters, extracted from the experimental transport data, are then used in the transport simulation, and the resulting mobility field dependence and transients are in very good agreement with the initial experimental data. © 2013 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4794791]
Bimolecular recombination in molecularly doped polymers
2013 · ARTICLE · en
We have investigated the bimolecular recombination of holes and electrons in a typical hole-conducting molecularly doped polymer (DEH-doped polycarbonate). The method used is a variant of the time-offlight technique with the bulk generation of charge carriers. A small signal regime has been used to extract parameters of the multiple trapping model with an exponential as well as the Gaussian trap distributions.Then, using a large signal regime with the generation rate increasing sequentially in a power of 10, we compared model predictions with experiment. It was found that the best agreement is achieved once the Langevin recombination coefficient is used, this being defined by the microscopic mobility featuring in the models. The relevance of this fact to the published data has been addressed as well. 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
Бимолекулярная рекомбинация носителей заряда в молекулярно допированном поликарбонате
2013 · ARTICLE · ru
Рассмотрены общие вопросы бимолекулярной рекомбинации носителей заряда в молекулярно допированном поликарбонате. Экспериментальные исследования выполнены с использованием метода нестационарной радиационной электропроводности. Проведены численные расчеты кривых переходного тока с использованием модели многократного захвата. Достигнуто хорошее совпадение расчетных и экспериментальных кривых. Показано, что в исследованном молекулярно допированном полимере реализуется Ланжевеновский механизм бимолекулярной рекомбинации.
Об образовании плато на времяпролетных кривых в молекулярно допированных полимерах
2013 · ARTICLE · ru
Разработана программа для численного анализа кривых переходного тока в образцах молекулярно допированных полимеров с учетом наличия в них дефектного приповерхностного слоя. Расчет времяпролетных кривых проведен с использованием модели многократного захвата с гауссовым распределением ловушек по энергии. Параметры модели определены по результатам независимых измерений. Численные расчеты качественно согласуются с полученными экспериментальными данными для типичного молекулярно допированного полимера. В рамках предложенной модели обсуждаются особенности образования плоского плато в образцах различной толщины.
Влияние заряженных центров на электронный транспорт в молекулярно допированных полимерах: теория и эксперимент
2013 · ARTICLE · ru
Изучено влияние заряженных центров на подвижность носителей заряда в полярном молекулярно допированном полимере – поликарбонате. Установлена природа подобного влияния и предложена упрощенная физико-математическая модель для его описания. Проведены численные расчеты, качественно согласующиеся с полученными экспериментальными результатами. Выполнены предварительные исследования по выяснению природы дефектного поверхностного слоя в образцах молекулярно допированных полимеров.
Laboratory Simulation of Charging of Polymers by Beams of Low-Energy Electrons
2013 · ARTICLE · en
Abstract—Charging of polymeric samples with grounded metal layer is studied by two main schemes of experiment. In the first scheme, a polymer film is irradiated with the low-energy electrons with energy of 20–40 keV under conditions of absence of grounded metal objects nearby. It is demonstrated that development of breakdown in the double electrical layer on the open surface of the polymer is impossible. In the second scheme, when a grounded metallic mask is placed on the surface of the polymer film in the irradiation zone, discharges are easily initiated and represent spark creeping discharges. A possible mechanism of their initiation is proposed.
Курсы (0)
Нет курсов.