Тютнев Андрей Павлович
Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова
Профессиональные интересы
Должности
- Профессор-исследователь — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии
Био
- · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
- · Научно-педагогический стаж: 57 лет.
Образование
- 1987 · Доктор физико-математических наук: специальность 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
- 1977 · Кандидат наук
- 1964 · Специалитет: Московский физико-технический институт, специальность «Экспериментальная ядерная физика», квалификация «Инженер-физик»
- 1964 · Специалитет: Московский физико-технический институт, факультет: Физико-химический, специальность «Прикладная ядерная физика»
Опыт работы
- · Доктор физико-математических наук: специальность 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
- · Специалитет: Московский физико-технический институт, специальность «Экспериментальная ядерная физика», квалификация «Инженер-физик»
- · Общий стаж: 58 лет
- · Научно-педагогический стаж: 52 года
- · Преподавательский стаж: 9 лет
- · Индекс Хирша WoS 19
Награды и поощрения
- · Медаль "Признание - 10 лет успешной работы" НИУ ВШЭ (июль 2025)
- · Благодарность НИУ ВШЭ (апрель 2025)
- · Почётная грамота Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ (октябрь 2022)
- · Надбавка за публикацию в журнале из Списка А (и приравненном к нему научном издании) (2024–2025)
- · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2020–2021, 2018–2020)
- · Надбавка за регулярные публикации в международных рецензируемых научных изданиях (2025–2030, 2021–2026)
- · Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом журнале (2014–2016, 2012–2014)
- · Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом научном издании (2016–2018)
- · Лучший преподаватель — 2015
Гранты и проекты
- — · на соискание учёной степени кандидата наук
Идентификаторы исследователя
- ORCID:
0000-0002-4706-3231 - ResearcherID:
G-7549-2014 - SPIN РИНЦ:
7765-1705 - Google Scholar: https://scholar.google.ru/citations?view_op=list_works&hl=ru&user=ceudosIAAAAJ&gmla=AJsN-F7cO6Bl9f2vzN3YnQV-E_g_7MaVjEmNRm9jvk0PGQZaIte5Ck2oHScqNHpklmejxUyMRNzfsB-YIGKheKjfMUa_osRohX1F7tIkBR8Pts3Xe76qdsNsBb1Zfe5bWHe-Y1ReMm_7U4nJMaF1Js-XYv31tUtOxQ
- Scopus AuthorID:
7005402871
Публикации (88)
Non-dispersive carrier transport in molecularly doped polymers and the convection–diffusion equation
2015 · ARTICLE · en
We reinvestigate the applicability of the concept of trap-free carrier transport in molecularly doped polymers and the possibility of realistically describing time-of-flight (TOF) current transients in these materials using the classical convection–diffusion equation (CDE). The problem is treated as rigorously as possible using boundary conditions appropriate to conventional time of flight experiments. Two types of pulsed carrier generation are considered. In addition to the traditional case of surface excitation, we also consider the case where carrier generation is spatially uniform. In our analysis, the front electrode is treated as a reflecting boundary, while the counter electrode is assumed to act either as a neutral contact (not disturbing the current flow) or as an absorbing boundary at which the carrier concentration vanishes. As expected, at low fields transient currents exhibit unusual behavior, as diffusion currents overwhelm drift currents to such an extent that it becomes impossible to determine transit times (and hence, carrier mobilities). At high fields, computed transients are more like those typically observed, with well-defined plateaus and sharp transit times. Careful analysis, however, reveals that the non-dispersive picture, and predictions of the CDE contradict both experiment and existing disorder-based theories in important ways, and that the CDE should be applied rather cautiously, and even then only for engineering purposes.
Temporal evolution of an ion pair with a perfectly reflecting recombination sphere
2015 · ARTICLE · en
We have examined the temporal evolution of an ion pair with fully suppressed geminate recombination. For this purpose, the Smoluchowski–Debye equation for a pure Coulomb potential with a reflecting boundary condition on the recombination sphere has been solved numerically and analytically (in the last case, only approximately). It has been shown that the probability of the pair non-dissociation decreases in time roughly as a power law. We also discussed the applicability of the conductivity method for studying the non-Langevin recombination in low mobility solids. An example of such an analysis is given for one technical polymer. The relation of these results to the concept of the coulombic traps has also been discussed.
Pulsed RadiationInduced Conductivity of Polymers in Strong Electric Fields
2015 · ARTICLE · en
Abstract—A theoretical analysis of the nonlinear field dependence of the pulsed radiationinduced conductiv ity of polystyrene in strong electric fields is performed. An explanation of the previously uncomprehended phe nomenon of the sharp increase in the radiationinduced electrical conductivity in the presence of an electric field with a strength of above 5 × 107 V/m is proposed. This behavior cannot be explained within the framework of Onsager’s theory of the fieldassisted thermal production of free charges from generated geminate pairs.
Time-of-Flight Current Shapes in Molecularly Doped Polymers: Effects of Sample Thickness and Irradiation Side and Carrier Generation Width
2014 · ARTICLE · en
ABSTRACT: The time-of-flight (TOF) current transients from solution-cast, free-standing films of p-diethylaminobenzaldehyde diphenyhydrazone in bisphenol A polycarbonate (DEH:PC) have been studied using electron gun induced charge generation. Changes in the shape of the current transient, cusp formation in particular, with film thickness, electron-beam penetration depth, and the side of the sample irradiated, have been analyzed with a two-layer multiple trapping model, and indicate that the time-of-flight transients of solution-cast films can be problematic in that plateau formation does not necessarily imply nondispersive charge transport. The results are consistent with the existence of thin surface layers which are depleted of the hole transport material. The depleted layer on the surface of the film that was exposed to air during coating/drying is always thicker than it is for the surface contacting the substrate. Depletion could occur through transport material sublimation, surface physical characteristics such as porosity, inhomogeneous solvent evaporation, or some other mechanism.
Транспорт дырок и бимолекулярная рекомбинация носителей заряда в поликарбонате, молекулярно допированном ароматическим гидразоном
2014 · ARTICLE · ru
Рассмотрены общие вопросы транспорта дырок и бимолекулярной рекомбинации носителей заря да в молекулярно допированном поликарбонате с низкой концентрацией допанта (10 мас. %). Экс перимент выполнен с использованием радиационно индуцированного метода времени пролета с объемной генерацией носителей заряда. Проведены численные расчеты кривых переходного тока с помощью модели многократного захвата. Достигнуто хорошее совпадение расчетных и экспери ментальных результатов по форме переходного тока. Показано, что в исследованном молекулярно допированном полимере наблюдается неравновесный транспорт дырок, а бимолекулярная реком бинация близка к ланжевеновской при ее описании в рамках модели многократного захвата.
Comparison of the time of flight current shapes predicted by hopping and multiple trapping models
2014 · ARTICLE · en
We have compared time-of-flight curves predicted by hopping and multiple trapping models with the Gaussian and exponential site/trap energy distributions, fitting Monte-Carlo predictions of the former with numerical calculations of the latter in a wide time domain using logarithmic coordinates lg j–lgt for the characterization of current shapes and an estimation of transit times. As a prototype hopping theory, we used the Gaussian disorder model while for representing the quasi-band theories we relied on the multiple trapping model, both of these for two types of the site/trap energy distributions. In case of the Gaussian distribution of trap depths, fitting procedure requires adjusting of the two model parameters (an energy distribution parameter r and a frequency factor m 0 ). For an exponential distribution, a one-parameter ( m 0 ) fitting suffices. The dipolar glass model, unlike the Gaussian disorder model, is basically different from the multiple trapping formalism, but a recently introduced two-layer multiple trapping model seems capable of reproducing TOF current shapes rather well.
Особенности полевой зависимости подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах в режиме неравновесного транспорта
2014 · ARTICLE · ru
Методами численного анализа с использованием модели многократного захвата изучено влияние неравновесности транспорта дырок на полевую зависимость дрейфовой подвижности в условиях классического времяпролетного эксперимента. Полевая зависимость заложена в модель через частотный фактор и соответствует закону Пула–Френкеля. Рассмотрены случаи чисто дисперсионного транспорта, а также неравновесного транспорта, характерного для модели Гауссова беспорядка. Показано, что анализ полевой зависимости подвижности в условиях неравновесного (особенно дисперсионного) транспорта требует более тщательного рассмотрения, чем это принято в настоящее время.
К вопросу о природе плато на времяпролетных кривых в молекулярно допированных полимерах
2014 · ARTICLE · ru
Проведено сравнение кривых переходного тока в полярном молекулярно допированном полимере для приповерхностной и объемной генерации носителей заряда. Ожидаемого в условиях квазиравновесного транспорта превращения горизонтального плато на первой из них в наклонную прямую на второй так и не произошло. Вместо этого при объемной генерации кривая описывается скорее гиперболой, у которой наклон уменьшается почти в семь раз за время длительности плато. Подобное поведение свидетельствует о неравновесном характере транспорта носителей заряда. Появление плато в нашем случае объясняется влиянием дефектного приповерхностного слоя, как мы уже указывали ранее.
Comparison of the time of flight current shapes predicted by hopping and multiple trapping models
2014 · ARTICLE · en
We have compared time-of-flight curves predicted by hopping and multiple trapping models with the Gaussian and exponential site/trap energy distributions, fitting Monte-Carlo predictions of the former with numerical calculations of the latter in a wide time domain using logarithmic coordinates lg j–lg t for the characterization of current shapes and an estimation of transit times. As a prototype hopping theory, we used the Gaussian disorder model while for representing the quasi-band theories we relied on the multiple trapping model, both of these for two types of the site/trap energy distributions. In case of the Gaussian distribution of trap depths, fitting procedure requires adjusting of the two model parameters (an energy distribution parameter σ and a frequency factor ν0). For an exponential distribution, a one-parameter (ν0) fitting suffices. The dipolar glass model, unlike the Gaussian disorder model, is basically different from the multiple trapping formalism, but a recently introduced two-layer multiple trapping model seems capable of reproducing TOF current shapes rather well.
The influence of negative charged centers on the hole transport in a typical molecularly doped polymer
2014 · ARTICLE · en
We have studied effects of the negative charged centers on the time of flight (TOF) curves measured in a typical hole-conducting molecularly doped polymer. The main effects are the unusual TOF (surface generation) current rise in the preflight region (be it a flat plateau or a cusp) due to the accumulated space charge and the current reduction at all times because of the monomolecular recombination. TOF-2 (bulk generation) transients are less sensitive to charged centers. Analysis of these effects has proved that charged centers do not change the carrier mobility provided that the space charge field and bimolecular recombination are properly accounted for in terms of the proposed two-layer MT model. We have shown that combination of TOF, TOF-1a and TOF-2 variants of the electron-gun based technique allows one to establish definitively the character of the charge carrier transport in MDPs.
Курсы (0)
Нет курсов.