DSA Faculty
API
← к списку преподавателей

Харитонов Игорь Анатольевич

Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Профиль на hse.ru ↗ тел.: +7 (495) 772-95-90 | 15214 | +7 (916) 314-04-61
Публикаций
115
Языков
1
Наград
7
Конференций
25
Профиль Публикации (115) Курсы (11)

Профессиональные интересы

SPICE моделированиерадиационные эффектыэлектро-тепловые эффектыэффекты старенияSPICE модели компонентов

Должности

  • Профессор — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии
  • Старший научный сотрудник — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии

Био

  • · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • · Научно-педагогический стаж: 32 года.

Образование

  • 2025 · Доктор наук: Московский институт электронной техники, тема диссертации: Методы и средства создания SPICE-моделей активных компонентов ИС с учётом воздействия температуры, радиации и эффектов старения
  • 2002 · Ученое звание: Доцент
  • 1998 · Кандидат наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», тема диссертации: разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно стойких МДП БИС
  • 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, специальность «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры», квалификация «Инженер-конструктор-технолог ЭВА»
  • 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «Конструирование и производство ЭВА»

Награды и поощрения

  • · Благодарность НИУ ВШЭ (январь 2026)
  • · Почётная грамота Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ (апрель 2022)
  • · Почетная грамота НИУ ВШЭ (март 2022)
  • · Благодарность проректора НИУ ВШЭ (октябрь 2018)
  • · Надбавка за академическую работу (2017–2018, 2016–2017)
  • · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018–2019)
  • · Лучший преподаватель — 2016–2018

Гранты и проекты

  • — · на соискание учёной степени кандидата наук

Конференции (25)

Показать все
  • · 2018: XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
  • · 2018: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
  • · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
  • · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • · 2017: XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • · 2016: The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
  • · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
  • · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
  • · 2016: Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
  • · 2016: 24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
  • · 2016: XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
  • · 2015: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
  • · 2015: Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
  • · 2015: The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography
  • · 2015: VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography
  • · 2015: Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
  • · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
  • · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
  • · 2015: International conference "Science in the modern information society IV" (North Charleston). Доклад: Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process.
  • · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov, Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components
  • · 2014: III Международная научно-практическая конференция Инновационные информационные технологии (Прага). Доклад: EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE
  • · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Идентификаторы исследователя

Публикации (115)

IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors

2015 · ARTICLE · en

Электрические характеристики облученного транзистора в ряде случаев приходиться измерять внутри радиационной камеры с использованием длинных кабелей, что приводит к существенной погрешности измерения. В этой статье сравниваются электрические характеристики биполярного транзистора после воздейсвтия радиации и измеренные по 4-х проводной и 2-х проводной схеме, а также приведены результаты прямых (без кабелей) измерений. Показано значительное увеличение погрешности измерений по 2-х проводной схеме по сравнению с 4-х проводной схемой при различных режимах работы биполярного транзистора.

DOI ↗ PDF ↗

Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС

2015 · ARTICLE · ru

Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости.

PDF ↗

The System for Thermal Control of Electronic Components

2014 · CHAPTER · en

The methodology and software tools for multi-level thermal and electro-thermal design of electronic components are presented. The discussion covers 2D/3D constructions of: 1) discrete and integrated semiconductor devices; 2) monoli­thic and hybrid ICs and VLSIs; 3) Hybrid ICs, MCMs and PCBs. The actual test validation through IR thermal measurement is demonstrated for all types of components.

PDF ↗

Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence

2014 · CHAPTER · en

The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented and examined with emphasis on application for radiation hardened electronics systems.

PDF ↗

Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц

2014 · CHAPTER · ru

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

PDF ↗

Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов

2014 · ARTICLE · ru

Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные параметры SiGe ГБТ (beta, gm, VA, fT, fmax и др.) менее чувствительны к воздействию перечисленных видов радиации, чем у кремниевых транзисторов. По фактору суммарной поглощённой дозы SiGe ГБТ имеют уникальные показатели стойкости, которые для приборов, изготовленных по последним уровням SiGe технологии, составляют 50-100 Мрад.

PDF ↗

Электротепловое проектирование «разумных» мощных микросхем с использованием системы Mentor Graphics

2014 · ARTICLE · ru

В статье представлены методология, программное обеспечение и примеры электротеплового проектирования различных частей «разумных» мощных микросхем в рамках системы Mentor Graphics.

PDF ↗

Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits

2014 · ARTICLE · en

An efficient methodology of electro-thermal design of smart power semiconductor devices and ICs, based on the combined use of SPICE circuit analysis tool and software tools for 2D/3D thermal simulation of IC chip construction, is presented. The features of low, medium and high power elements, temperature sensors, IC chips simulation are considered

DOI ↗ PDF ↗

The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link

2014 · CHAPTER · en

Статья посвящена вопросам инноваций в микроэлектроном обучении для для аэрокосмической отрасли. Обсуждаются три предложения по улучшению качества подготовки студентов: 1) специальные магистерские программы, 2) базовые кафедры с ведущими предприятиями, 3) специальные Центры проектирования и исследований в экстремальной электронике. Приведены данные, показывающие, что гибкая связь "Университет-предприятие" может помочь в подготовке следующего поколения инженеров для микроэлектроной отрасли , удовлетворяющих требованиям аэрокосмической отрасли.

PDF ↗

ПОДСИСТЕМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С УЧЕТОМ ДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАДИАЦИИ

2014 · CHAPTER · ru

Описывается блок-схема и части инновационной подсистемы для проектирования интегральных схем с учетом факторов температуры и радиации. Рассмотрены программное обеспечение и математические модели, используемые для проектирования стойких интегральных схем в русле импортозамещения электронной компонентной базы для жестких условий эксплуатации.

PDF ↗

Курсы (11)