Харитонов Игорь Анатольевич

SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects

2015 · CHAPTER · en

Universal SPICE model for submicron SOI/SOS MOSFETs based on BSIMSOI and EKV-SOI platforms with account for total ionizing dose-induced effects (TID), pulsed radiation effects, single events is presented. A special subcircuit consisting of parasitic transistors for sidewall and backgate leakage currents and other elements is connected to the standard SPICE model. In addition, the radiation-dependent parameters are described by physically based mathematical equations. Model parameter extraction methodology is described. Examples of radhard SOI/SOS CMOS circuits simulation are presented.

Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик

2015 · CHAPTER · ru

Для модифицированных схемотехнических моделей электронных компонентов как в дискретном, так и в интегральном исполнении, учитывающих эффекты основных видов радиационного воздействия, отработаны методики измерений их характеристик в процессе и после радиационного воздействия и определения параметров их моделей из результатов измерений.

Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography

2015 · CHAPTER · en

Higher functionality of today’s electronic products demands high density integration of electronic components. In this field, printed-circuit-board (PCB) are the perspective technology to build a variety of electronic systems for different applications. Two types of boards were investigated: high current for power applications and high density boards for modern electronic equipment. The set of IR images and temperature-current diagrams for different substrate materials were investigated. Current and temperature limits for all test boards were defined to provide high level of board relectronic system reliability.

SPICE models of MOS FETS on insulating substrate with account for thermal effects

2015 · CHAPTER · en

The unified SPICE model for MOS FET on insulating substrate with account for the selfheating effects. transistors interaction and thermal properties of chip construction and mounting is presented. The MOS FET model parameters depend on transistor internal temperature which is calculated using thermal network . Any model of MOS FET can be used. Thermal network parameters depend on chip package construction and cooling conditions.

Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography

2015 · CHAPTER · en

Software-hardware IR thermography subsystem for non-destructive testing of electronic components overheating has been developed. IR measuring part included: Flir ThermoVision A40 infrared camera with 17 mkm macro lens, Quantum Focus Instruments Corp InfraScope, precise positioning system. Software part for IR data processing included two standard tools: ThermaCAM Researcher, NEC San-ei Image Processor and several original software tools for extension of the subsystem abilities. The sets of examples are presented to illustrate the efficiency of using IR thermography measuring subsystem for non-destructive testing of electronic components (semiconductor devices, chips, PCBs) to improve thermal stability and reliability of electronic products.

Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects

2015 · CHAPTER · en

Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)

2015 · CHAPTER · ru

При решении задачи создания на базе КНИ КМОП технологии высокотемпературных (с предельной рабочей температурой до 300°С) полупроводниковых микросхем для различных применений необходимо использовать методы и средства компьютерного моделирования. К сожалению, существующие в настоящее время SPICE-модели КНИ МОПТ рассчитаны на диапазон рабочих температур до +150°С. В настоящей работе диапазон существующих стандартных моделей КНИ МОПТ расширен до 300°С.

Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР

2015 · CHAPTER · ru

Описаны разработанные автоматизированные подсистемы, встроенные в коммерческую САПР Mentor Graphics: электротеплового моделирования аналоговых ИС, логико-теплового анализа цифровых ИС и БИС, электротеплового расчета систем на печатных платах. За счет автоматизации процесса электро-теплового и логико-теплового моделирования существенно расширены возможности системы Mentor Graphics. Описаны разработанные электро-тепловые модели компонентов ИС, БИС, проводников печатных плат, используемые в разработанных подсистемах. Приведены результаты электро-теплового моделирования

Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов

2015 · CHAPTER · ru

В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках.

Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)

2015 · CHAPTER · ru

В данной работе описаны особенности процедуры измерения электрических характеристик и определения параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов различного типа в диапазоне изменения температуры от минус 60 °C до +125 °C, что проиллюстрировано на примере отечественного дискретного биполярного транзистора из состава транзисторной матрицы 1НТ251А. Подробная пошаговая полуавтоматизированная процедура экстракции параметров была реализована с использованием автоматизированного комплекса IC‑CAP.