Харитонов Игорь Анатольевич
Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова
Профессиональные интересы
Должности
- Профессор — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии
- Старший научный сотрудник — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии
Био
- · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
- · Научно-педагогический стаж: 32 года.
Образование
- 2025 · Доктор наук: Московский институт электронной техники, тема диссертации: Методы и средства создания SPICE-моделей активных компонентов ИС с учётом воздействия температуры, радиации и эффектов старения
- 2002 · Ученое звание: Доцент
- 1998 · Кандидат наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», тема диссертации: разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно стойких МДП БИС
- 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, специальность «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры», квалификация «Инженер-конструктор-технолог ЭВА»
- 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «Конструирование и производство ЭВА»
Награды и поощрения
- · Благодарность НИУ ВШЭ (январь 2026)
- · Почётная грамота Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ (апрель 2022)
- · Почетная грамота НИУ ВШЭ (март 2022)
- · Благодарность проректора НИУ ВШЭ (октябрь 2018)
- · Надбавка за академическую работу (2017–2018, 2016–2017)
- · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018–2019)
- · Лучший преподаватель — 2016–2018
Гранты и проекты
- — · на соискание учёной степени кандидата наук
Конференции (25)
Показать все
- · 2018: XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
- · 2018: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
- · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
- · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- · 2017: XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
- · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
- · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов
- · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- · 2016: The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
- · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
- · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
- · 2016: Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
- · 2016: 24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
- · 2016: XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
- · 2015: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
- · 2015: Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
- · 2015: The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography
- · 2015: VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography
- · 2015: Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
- · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
- · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
- · 2015: International conference "Science in the modern information society IV" (North Charleston). Доклад: Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process.
- · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov, Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components
- · 2014: III Международная научно-практическая конференция Инновационные информационные технологии (Прага). Доклад: EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE
- · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components
Идентификаторы исследователя
- ORCID:
0000-0001-8947-8227 - ResearcherID:
H-7826-2015 - SPIN РИНЦ:
2630-5597 - Google Scholar: https://scholar.google.ru/citations?user=XXeltn8AAAAJ&hl=ru
- Scopus AuthorID:
56711354200
Публикации (115)
Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе
2010 · ARTICLE · ru
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.
BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов
2010 · ARTICLE · ru
Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.
Thermal Design System for Chip- and Board-level Electronic Components
2009 · CHAPTER · en
Представлена система теплового проектирования на уровнях кристалла ИС и печатных плат. Система интегрирована в САПР Mentor Graphics и состоит из трёх подсистем: теплового проектирования в IC Station; теплового проектирования в Expedition PCB; тепловых измерений для проверки результатов теплового моделирования.
Electro-thermal simulation: a new Subsystem in Mentor Graphics IC Design Flow
2009 · CHAPTER · en
Новая электро-тепловая подсистема введена в маршрут проектирования ИС фирмы Mentor Graphics. Подсистема включает программу теплового моделирования ИС “Перегрев”, программу-диспетчер “ETh SimCoupler” для управления процессом моделирования и преобразователь топологии “ETh Model Generator”. Описан пример моделирования ИМС мощного интегрального стабилизатор напряжения. Показано хорошее совпадение результатов моделирования с результатами тепловых измерений.
Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics
2008 · CHAPTER · ru
В САПР БИС Mentor Graphics встроена подсистема электротеплового моделирования. Подсистема состоит из программы теплового моделирования ИС «Перегрев-МС», программы-диспетчера «ETh SimCoupler», управляющего процессом моделирования, и программы преобразования топологической информации «ETh Model Generator». Рассмотрен пример моделирования мощного интегрального стабилизатора напряжения К142ЕН9. Получено удовлетворительное совпадение результатов моделирования с результатами измерения тепловых полей методом ИК-термографии.
Курсы (11)
-
Аналоговые и цифровые устройства · 5 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024, 2022/2023, 2021/2022 · Магистратура / Маго-лего · рус
-
Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) · 5 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024, 2022/2023, 2021/2022 · семинар наставника · рус
-
Микро- и наноэлектроника · 4 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024, 2022/2023 · Магистратура / Маго-лего · рус
-
Основы моделирования в инфокоммуникационных технологиях и системах связи · 5 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024, 2022/2023, 2021/2022 · Бакалавриат · рус
-
Проектирование и моделирование элементной базы микроэлектроники · 5 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024, 2022/2023, 2021/2022 · Магистратура / Маго-лего · рус
-
Проектный семинар "Введение в специальность" · 3 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024 · Бакалавриат · рус
-
Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники · 5 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024, 2022/2023, 2021/2022 · Магистратура / Маго-лего · рус
-
Электропитание устройств и систем телекоммуникаций · 4 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024, 2022/2023 · Бакалавриат · рус
-
Перспективные направления мировой и отечественной электроники · 3 раза
2024/2025, 2023/2024, 2022/2023 · Аспирантура / Аспирантура направление: 00.00.00. Аспирантура · рус
-
11.04.04. Электроника и наноэлектроника · 2 раза
2023/2024, 2021/2022 · Магистратура · рус
-
03.06.01. Физика и астрономия
2021/2022 · Аспирантура · рус