DSA Faculty
API
← к списку преподавателей

Харитонов Игорь Анатольевич

Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Профиль на hse.ru ↗ тел.: +7 (495) 772-95-90 | 15214 | +7 (916) 314-04-61
Публикаций
115
Языков
1
Наград
7
Конференций
25
Профиль Публикации (115) Курсы (11)

Профессиональные интересы

SPICE моделированиерадиационные эффектыэлектро-тепловые эффектыэффекты старенияSPICE модели компонентов

Должности

  • Профессор — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии
  • Старший научный сотрудник — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Департамент электронной инженерии

Био

  • · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • · Научно-педагогический стаж: 32 года.

Образование

  • 2025 · Доктор наук: Московский институт электронной техники, тема диссертации: Методы и средства создания SPICE-моделей активных компонентов ИС с учётом воздействия температуры, радиации и эффектов старения
  • 2002 · Ученое звание: Доцент
  • 1998 · Кандидат наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», тема диссертации: разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно стойких МДП БИС
  • 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, специальность «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры», квалификация «Инженер-конструктор-технолог ЭВА»
  • 1985 · Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «Конструирование и производство ЭВА»

Награды и поощрения

  • · Благодарность НИУ ВШЭ (январь 2026)
  • · Почётная грамота Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ (апрель 2022)
  • · Почетная грамота НИУ ВШЭ (март 2022)
  • · Благодарность проректора НИУ ВШЭ (октябрь 2018)
  • · Надбавка за академическую работу (2017–2018, 2016–2017)
  • · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018–2019)
  • · Лучший преподаватель — 2016–2018

Гранты и проекты

  • — · на соискание учёной степени кандидата наук

Конференции (25)

Показать все
  • · 2018: XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
  • · 2018: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
  • · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
  • · 2018: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • · 2017: XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов
  • · 2017: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
  • · 2016: The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
  • · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
  • · 2016: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
  • · 2016: Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
  • · 2016: 24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
  • · 2016: XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
  • · 2015: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
  • · 2015: Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
  • · 2015: The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography
  • · 2015: VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography
  • · 2015: Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
  • · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
  • · 2015: ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
  • · 2015: International conference "Science in the modern information society IV" (North Charleston). Доклад: Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process.
  • · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov, Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components
  • · 2014: III Международная научно-практическая конференция Инновационные информационные технологии (Прага). Доклад: EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE
  • · 2014: The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Идентификаторы исследователя

Публикации (115)

Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects

2011 · CHAPTER · en

Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора.

PDF ↗

TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies

2011 · CHAPTER · en

Представлены результаты сравнения времен задержек переключения МОП транзисторов , со структурой кремний на сапфире и кремний на изоляторе. Была использована двух этапная процедура для расчета времен задержек МОП транзисторов с длинами каналов от 3 до 0.25 мкм, изготовленных по указанным технологиям. Показано, что технология UTSI фирмы Pеregrine обеспечивает уменьшение времен задержек на 220-240% по сравнению с «объемным» кремнием и 20-25% - по с равнению с технологий кремний на изоляторе.

PDF ↗

Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты

2011 · ARTICLE · ru

Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование.

PDF ↗

Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE

2010 · CHAPTER · en

Представлена методология многоуровневой параметризации элементов для предсказания радиационной стойкости СБИС с помощью средств САПР. Методология включает моделирование технологии изготовления и самих полупроводниковых КМОП КНИ /КНС приборов с учетом радиационных эффектов, исследование тестовых структур, определение параметров SPICE моделей. Приведенные результаты показывают хорошее совпадение результатов моделирования и измерения параметров стойкости элементов ИС и СБИС к радиационному воздействию.

PDF ↗

Multi-level Thermal Design of Electronic Components: from Submicron Devices and ICs to Systems on a Board

2010 · CHAPTER · en

Представлена методология и программное обеспечение для много уровневого теплового и электро-теплового проектирования электронных компонентов. Рассмотрены 2D и 3D конструкции 1) дискретных и интегральных полупроводниковых приборов, 2) монолитных и гибридных ИС, 3) многокристальных модулей и печатных плат. Дано сравнение с результатами экспериментальных исследований тепловых режимов всех упомянутых компонентов.

PDF ↗

Microelectronics education at MIEM: from materials to system on chip/board

2010 · CHAPTER · en

В МИЭМ создана система непрерывного микрорэлектронного обучения. Подход обеспечивает все стадии обучения. Они основаны на совместном использовании программного и-аппаратного обеспечения и тесном взаимодействии процесса обучения в университете и контактов с промышленными предприятиями. Описаны все стадии процесса обучения.

PDF ↗

Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний

2010 · CHAPTER · ru

В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем.

PDF ↗

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией

2010 · CHAPTER · ru

В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки.

PDF ↗

Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования

2010 · CHAPTER · ru

Описаны процедура и результаты экстракции емкостных параметров модели BSIMSOI КНИ МОПТ 0,35 мкм с использованием комплекса экстракции IC CAP из результатов приборно-технологического моделирования КНИ КМОП структур в с помощью SYNOPSYS TCAD.

PDF ↗

Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ

2010 · CHAPTER · ru

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

PDF ↗

Курсы (11)