DSA Faculty
API
← к списку преподавателей

Гольцман Григорий Наумович

Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Профиль на hse.ru ↗ тел.: +7 (495) 772-95-90 | 15220
Публикаций
253
Языков
2
Наград
6
Конференций
2
Профиль Публикации (253) Курсы (3)

Профессиональные интересы

субмиллиметровая ЛОВ-спектроскопия мелких примесей в монокристаллах Ge, Si и GaAsнеравновесные явления в сверхпроводниковых нанопроводах при поглощении ИК фотоновметоды регистрации слабого терагерцового и инфракрасного излученияновые приборы для радиоастрономии: сверхпроводниковые болометры на горячих электронахновые приборы для квантовой оптики: сверхпроводниковые счетчики ИК фотонов

Должности

  • Заведующий кафедройМосковский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Базовая кафедра квантовой оптики и телекоммуникаций ЗАО «Сконтел»
  • ПрофессорМосковский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Базовая кафедра квантовой оптики и телекоммуникаций ЗАО «Сконтел»

Био

  • · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2013 году.
  • · Научно-педагогический стаж: 55 лет.

Образование

  • 1988 · Ученое звание: Профессор
  • 1985 · Доктор физико-математических наук
  • 1968 · Специалитет: Московский государственный педагогический институт им. В.И. Ленина, специальность «Физика», квалификация «Учитель физики и звание учителя средней школы»

Опыт работы

  • · Общий стаж - 54 года
  • · Научно-педагогический стаж - 51 год
  • · Преподавательский стаж - 44 года

Награды и поощрения

  • · Медаль "В память 850-летия Москвы" (февраль 1997)
  • · Надбавка за публикацию в журнале из Списка А (и приравненном к нему научном издании) (2025–2026, 2024–2025)
  • · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2022–2023, 2021–2022, 2020–2022, 2018–2020)
  • · Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом журнале (2014–2016)
  • · Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом научном издании (2016–2018)
  • · Лучший преподаватель — 2014

Гранты и проекты

  • · на соискание учёной степени кандидата наук

Конференции (2)

Показать все
  • · 2022: Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN (Санкт-Петербург). Доклад: A mmWave Rod Antenna Array Compatible with a PCB Prototyping Technology
  • · 2022: Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN (Санкт-Петербург). Доклад: Thermo-optical effect in a Mach-Zehnder interferometer on a silicon nitride platform for quantum photonic applications

Идентификаторы исследователя

Публикации (253)

3D Microstructures for Introducing Radiation into Photonic Integrated Circuits

2024 · ARTICLE · en

Photonic integrated circuits with improved optical input are used to obtain high-performance data transmission and processing systems. Transmitance spectra are studied for 3D microstructures fabricated via two-photon polymerization for inputting radiation in the range of 1480 to 1640 nm into photonic integrated circuits. Results were compared to transmittance of diffraction gratings.

Детектор ИК диапазона на основе графеновых нанополос

2024 · ARTICLE · ru

Представлена технология сенсибилизации структуры, состоящей из нанополоски графена на кремниевой подложке Si/GNR в ближнем IR-диапазоне электромагнитного спектра, основанная на легировании графеновой нанополоски GNR с помощью He4. Экспериментально продемонстрировано увеличение отклика более чем 25 раз на длине волны 1.35 μm в структуре Si/GNR/He4, по сравнению с Si/GNR не легированной He4. Также Si/GNR_He4 структура проявляет ярко выраженные многоуровневые мемристорные свойства под действием инфракрасного излучения. Ключевые слова: графен, нанополоска графена, инфракрасный диапазон, детектор.

Эффективность согласования одномодового волокна с фотонной интегральной схемой Si3N4

2024 · ARTICLE · ru

Оптимизирована торцевая стыковка оптических волокон с волноводами фотонных интегральных схем на основе Si3N4. Согласованы размеры моды оптического волокна и моды волновода при торцевом вводе. Для этого использована сварка одномодового оптического волокна с волокном с высокой числовой апертурой, позволяющая уменьшить размер моды оптического волокна, а со стороны чипа разработан и изготовлен преобразователь на основе линейного торцевого инвертированного тейпера. Линейный торцевой инвертированный тейпер представляет из себя трапециевидную призму, широкой частью примыкающую к волноводу и сужающуюся по ширине до 0.3 μm к торцам кристалла фотонной интегральной схемы, высота трапеции, лежащей в основании этой призмы, составляет 300 μm. Экспериментально продемонстрирована возможность благодаря этому снизить стыковочные потери при торцевом вводе до 0.7 dB на торец.

Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). В 2 томах. Том 1-й

2024 · BOOK · ru

Работа посвящена экспериментальному исследованию влияния распределения неоднородности тонкой (5–10 нм) сверхпроводящей пленки NbN на свойства отдельных пикселей матрицы HEB-смесителей, изготовленной на ее основе. Исследования проводились при разных температурах Si-подложки, при Т вблизи Тс и Т много ниже Тс, это позво ляло выделять отдельные интерфейсы в смесителе за счет разной Тс элементов смесителя. Однородность используемой NbN-пленки и параметров изготовленных смесителей матрицы достигалась как путем подготовки поверхности Si-подложки, так и путем использования осажденного in situ с пленкой NbN слоя Au – контакта с планарной ТГц антенной. Изготовленные HEB-смесители имели практически идентичные R(T) характеристики с разбросом Тс и нор мального сопротивления R300 не более 0,15 К и 2 Ом соответственно. Шумовая температура на частоте гетеродина 2,52 ТГц не превышала 800 К с разбросом 50 К. Шумовая полоса смесителей при Т = 4,5 К составляла 7 ГГц. В работе явно продемонстрировано влияние неравновесных процессов, протекающих в пленке NbN вблизи Au нормальных контактов на характеристики создаваемых смесителей. Разработанная технология изготовления позволяет создать многопиксельные гетеродинные матрицы из NbN HEB-смесителей с высокой однородностью параметров пикселей, составляющих матрицу.

Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). В 2 томах. Том 2-й

2024 · BOOK · ru

Как оптическое волокно пришло на смену электрическому кабелю благодаря много большей скорости передачи данных, так и фотонная интегральная схема (ФИС) в обозримом будущем заменит электронную интегральную схему. Для связи ФИС с внешними устройствами, в том числе с другими ФИС, используют одномодовые оптические волокна. В нашей работе мы изучаем, как излучение из одномодового оптоволокна переходит в диэлектрический Si3N4 волновод ФИС. Входной и выходной Si3N4-волноводы ФИС изготавливались в виде сужающихся до 0,15–0,3 мкм к торцам кристалла ФИС участков волновода длиной 300 мкм, так называемых торцевых инвертированых тейперов. Торцевой способ ввода/вывода, отличается высокой эффективностью по сравнению с вводом/выводом при помощи дифракционных решеток. Инвертированный тейпер адиабатически трансформирует основную моду прямоугольного Si3N4-волновода в основную моду одномодового оптоволокна. В работе экспериментально удалось получить эффективности согласования –0,65 дБ на один торец Si3N4-волновода, что является одним из лучших результатов среди конкурентов на Российском рынке.

Rapid Synthesis of Pt(0) Motors-Microscrolls on Nickel Surface via H2PtCl6-Induced Galvanic Replacement Reaction

2024 · ARTICLE · en

In this study, Pt(0) microscrolls are synthesized on polished Ni via galvanic replacement reaction (GRR). Employing in situ optical microscopy, the dynamic motion of the catalytic microscrolls as micromotors in H2O2 solutions is revealed. This method offers a rapid fabrication of scrolls from diverse noble metals and alloys.

Экспериментальная деятельность учащихся - основа обучения физике в современной школе

2024 · BOOK · ru

В книге рассмотрены результаты аналитических исследований в направлении переработки курса физики школы и педагогического вуза путем приближения к современным основам современных высоких технологий в физике и педагогике. Авторы книги предлагают пути повышения качества обучения физике в системе общего образования на основе обновленного содержания курса физики, в котором формирование физической картины мира достигается путем активных технологий, погружающих обучаемых в современную научно-технологическую среду, а также путем подготовки соответствующих педагогов-физиков для реализации обновленного содержания. В монографии предлагаются методические подходы для построения экспериментальной деятельности учащихся таким образом, чтобы ключевые понятия были представлены не в виде готовых знаний. Предлагаемые в учебном процессе задачи должны воссоздавать условия происхождения ключевых понятий физики и мотивировать учащихся к осознанному пониманию функционирования современных высокотехнологичных устройств. В книге представлены результаты педагогического эксперимента в котором учащимся были предложены для решения экспериментальные задачи с новым физическим содержанием. Исследование охватило значительное количество школьников и студентов нескольких регионов страны: Москвы, Сахалинской, Нижегородской, Пермской, Воронежской областей. Книга адресована учителям, преподавателям вузов, студентам - всем заинтересованным в повышении эффективности современного образования.

Microfluidic–nanophotonic sensor for on-chip analysis of complex refractive index

2024 · ARTICLE · en

Photonic biosensors based on photonic integrated circuits (PICs) and microfluidic channels (MFCs) have become the subject of intensive research for point-of-care (POC) device applications. In the presented work, we demonstrate the possibility of identifying the complex refractive index (RI) of analyzed liquids through the optimization of the geometry configuration of MFCs under PICs by experimental and numerical approaches. Our results suggest that the real and imaginary parts of the RI for analytes under study can be determined from spectrum of devices with optimized MFCs width. This work paves the way for new opportunities to identify the presence and concentration of biological markers by using RI sensors for in situ POC applications.

Fundamental Limits of Few-Layer NbSe2 Microbolometers at Terahertz Frequencies

2024 · ARTICLE · en

The rapid development of infrared spectroscopy, observational astronomy, and scanning near-field microscopy has been enabled by the emergence of sensitive mid- and far-infrared photodetectors. Superconducting hot-electron bolometers (HEBs), known for their exceptional signal-to-noise ratio and fast photoresponse, play a crucial role in these applications. While superconducting HEBs are traditionally crafted from sputtered thin films such as NbN, the potential of layered van der Waals (vdW) superconductors is untapped at THz frequencies. Here, we introduce superconducting HEBs made from few-layer NbSe2 microwires. By improving the interface between NbSe2 and metal leads, we overcome impedance mismatch with RF readout, enabling large responsivity THz detection (0.13 to 2.5 THz) with a minimal noise equivalent power of 7 pW/ Hz‾‾‾√Hz and nanosecond-range response time. Our work highlights NbSe2 as a promising platform for HEB technology and presents a reliable vdW assembly protocol for custom bolometer production.

Signature of the Reduced Sound Velocity in Thin NbN Films

2024 в печати · ARTICLE · en

Here, we investigate thermal transport and phonon dynamics in the 30-nm thick NbN device. By measuring the thermal resistance Z2D at temperatures beyond the critical temperature Tc and the resistance relaxation time τR in the vicinity of Tc , we obtain thermal parameters that are consistent with the acoustic mismatch model. Using the acoustic mismatch model and the experimental values of Z2D and τR , we determine the phonon heat capacity, which also gives access to the sound velocity vs in NbN. The obtained value of vs is two times lower than the value in bulk NbN, and it corresponds to the velocity estimates obtained by other experimental methods. Our findings can be useful for modeling and improving the performance of low-temperature devices based on NbN films.

Курсы (3)