Гольцман Григорий Наумович
Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова
Профессиональные интересы
Должности
- Заведующий кафедрой — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Базовая кафедра квантовой оптики и телекоммуникаций ЗАО «Сконтел»
- Профессор — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Базовая кафедра квантовой оптики и телекоммуникаций ЗАО «Сконтел»
Био
- · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2013 году.
- · Научно-педагогический стаж: 55 лет.
Образование
- 1988 · Ученое звание: Профессор
- 1985 · Доктор физико-математических наук
- 1968 · Специалитет: Московский государственный педагогический институт им. В.И. Ленина, специальность «Физика», квалификация «Учитель физики и звание учителя средней школы»
Опыт работы
- · Общий стаж - 54 года
- · Научно-педагогический стаж - 51 год
- · Преподавательский стаж - 44 года
Награды и поощрения
- · Медаль "В память 850-летия Москвы" (февраль 1997)
- · Надбавка за публикацию в журнале из Списка А (и приравненном к нему научном издании) (2025–2026, 2024–2025)
- · Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2022–2023, 2021–2022, 2020–2022, 2018–2020)
- · Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом журнале (2014–2016)
- · Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом научном издании (2016–2018)
- · Лучший преподаватель — 2014
Гранты и проекты
- — · на соискание учёной степени кандидата наук
Конференции (2)
Показать все
- · 2022: Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN (Санкт-Петербург). Доклад: A mmWave Rod Antenna Array Compatible with a PCB Prototyping Technology
- · 2022: Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN (Санкт-Петербург). Доклад: Thermo-optical effect in a Mach-Zehnder interferometer on a silicon nitride platform for quantum photonic applications
Идентификаторы исследователя
- ORCID:
0000-0002-1960-9161 - ResearcherID:
A-4189-2014 - SPIN РИНЦ:
4622-7870 - Google Scholar: https://scholar.google.ru/citations?user=qljeUfEAAAAJ&hl=ru
- Scopus AuthorID:
7006771637
Публикации (253)
Hybrid terahertz photonic integrated circuits based on Ge2Sb2Te5 phase change material atop of silicon waveguides
2025 · ARTICLE · en
The use of chalcogenide semiconductor compounds, in particular the Ge–Sb–Te (GST) material with phase memory, can significantly expand the capabilities of currently developed integrated terahertz (THz) photonic integrated circuits. In this paper we report on the measured value of the absorption contrast between amorphous and crystalline states of GST layer atop of silicon waveguide, which exceeds 10 dB in a frequency range of 126.5–145.5 GHz. The attenuation mechanism is associated with the absorption of THz radiation by free carriers, the concentration of which significantly depends on the phase state of the GST. For applications where frequency selectivity or routing is required, we have fabricated and studied a disk resonator. From the measured transmission spectrum of the THz disk resonator, the free spectral range of 3.7 GHz and the quality factor of 975 and the effective group refractive index were determined. The results obtained open up the possibility of wide use of the GST material in applications related to THz, including modulation, matrix-by-vector multiplication, fully optical signal routing, and neuromorphic circuits
Интегральный субтерагерцовый волноводный реконфигурируемый аттенюатор на основе материала Ge2Sb2Te5 с фазовой памятью
2025 · ARTICLE · ru
Использование халькогенидных полупроводниковых соединений, в частности материала Ge−Sb−Te с фазовой памятью, имеет важное значение для дальнейшего развития микро- и наноэлектроники, в том числе для создания пространственно-временн ´ых терагерцовых модуляторов для высокоскоростной беспроводной связи, элементов нейроморфной фотоники, метаматериалов для машинного обучения, а также плазмонных устройств и приложений, обеспечивающих хранение данных с возможностью их дальнейшей реконфигурации. В данной работе исследуется изменение проходящего через терагерцовый волновод сигнала в зависимости от фазового состояния тонкой пленки Ge−Sb−Te, покрывающей волновод. В рамках работы были изготовлены два варианта волноводов: безоболочечные и на основе эффективной среды. Материал фазовой памяти применялся для управления параметрами проходящего сигнала. В ходе экспе- риментов было установлено, что значение контраста в поглощении между аморфным и кристаллическим состояниями Ge−Sb−Te превышает 10 дБ для случая, когда ориентация вектора напряженности поля, распространяющегося по волноводу, перпендикулярно слою Ge−Sb−Te. Полученные результаты открывают возможность использования разработанных элементов в качестве реконфигурируемых аттенюаторов при создании устройств интегральной терагерцовой фотоники.
MoRe superconducting nanowire single-photon detector atop of lithium niobate on insulator
2025 · ARTICLE · en
We demonstrate an amorphous molybdenum–rhenium (MoRe) film on a thin-film lithium niobate substrate as an efficient superconducting nanowire single-photon detector (SNSPD) operating at T=2.5 K. MoRe films were deposited by DC magnetron sputtering with a composite target of 56 at. % Mo and 44 at. % Re on lithium niobate on insulator substrates at room temperature. We investigated the spectral and temporal performance of MoRe SNSPDs as well as the detection regimes of one and multiple photons. The fabricated detector with a nanowire width of about 150 nm shows an internal detection efficiency of approximately 98% and 73.5% for the most crucial wavelengths for integration on the chip, 780 and 1550 nm, respectively. Our results show great potential for the use of MoRe for scalable and cryogenic tunable quantum photonic integrated circuits.
Generating Measurement-based Synthetic Received Signal Power Data for 6G Sub-Terahertz Research with Micromobility and Blockage
2025 · ARTICLE · en
Blockage of propagation paths between the base station (BS) and user equipment (UE), as well as the micromobility of the UE, are known to be critical phenomena affecting the performance of 6G subterahertz/terahertz (sub-THz/THz, 0.1–0.3/0.3–3 THz) cellular systems. The development of functions that target the performance improvement of such systems requires understanding of the dynamics of the received signal. However, measurements of the signal received power (SRP) reported to date are limited to the blockage and micromobility phenomena in isolation. In this study, by utilizing individual measurements of blockage and micromobility processes, we propose a procedure for generating synthetic time series of the received signal strength simultaneously capturing blockage, micromobility, and beam-tracking procedures. Our results reveal that out of all the considered applications, only the most dynamic ones, racing game and VR, are characterized by significant differences between on-demand and regular beam tracking with 4-6.5 bits/Hz/s spectral efficiency degradation in the case of on-demand beam tracking as compared to the regular one. For applications with high-speed micromobility (VR watching and race gaming), the minimal beam tracking interval is 80 ms, whereas for low-speed applications, a period of 320 ms and even sometimes 1000 ms is sufficient. Our results show that the availability of information regarding the type of application allows one to decrease the overhead required for beam tracking by up to 20-30 times. The traces produced can be further utilized for various tasks, including the development of statistical tests for discriminating blockage and micromobility events, designing blockage detection algorithms, and improving beam tracking procedures. We made the data produced available to the research community.
Low-temperature electron dephasing rates indicate magnetic disorder in superconducting TiN films
2025 · ARTICLE · en
We investigate electron transport and phase-breaking processes in thin titanium nitride (TiN) films of epitaxial quality. Previous studies show that a minute surface magnetic disorder significantly reduces the critical temperature (Tc) and broadens the superconducting transition as the film thickness and device size decrease. We measure electron dephasing rates via magnetoresistance from Tc to ~4Tc in various-thickness TiN films. Electron dephasing occurs on the picosecond timescale and is nearly independent of temperature, differing from the expected inelastic scattering due to the electron–phonon and electron–electron interactions near Tc, which occur over a nanosecond timescale. We propose spin-flip scattering as a possible additional phase-breaking mechanism. The significant increase in the dephasing rate for the thinnest film indicates that magnetic disorder resides near the surface of naturally oxidized films. Our research suggests that magnetic disorder may be a significant contributor to RF dissipation in superconducting devices based on TiN.
Многоэлементный однофотонный детектор большой площади
2025 · ARTICLE · ru
овые области применения сверхпроводниковых однофотонных детекторов повышают требования к большой активной площади детекторов. Разработан дизайн и изготовлен 12-пиксельный NbN-детектор с большой активной областью и с шириной полоски 500 nm и размером активной площади 45 ×× 50 μμm, что подходит для согласования с многомодовым оптоволокном. Исследованы вольт-амперные характеристики и определен критический ток образца IcIc. Это значение было сопоставлено с максимально возможным теоретическим значением тока распаривания IdepIdep. Благодаря дизайну многоэлементного NbN-детектора, исключающему влияние эффекта сгущения тока, большинство исследуемых образцов продемонстрироваали значение Ic/IdepIc/Idep, превышающее 0.7. Результаты показали, что большинство пикселей на исследуемом многоэлементном детекторе способны детектировать одиночные фотоны.
Изучение термооптических свойств ниобата лития на изоляторе при криогенных температурах
2025 · ARTICLE · ru
Предмет исследования. Термооптические свойства ниобата лития на изоляторе при понижении температуры от комнатной до гелиевой. Цель работы. Установление температурной зависимости эффективного показателя преломления волновода из ниобата лития в широком диапазоне температур (6–294 K). Метод. Измеренные спектры пропускания микрокольцевых резонаторов из нитрида кремния в криостате обрабатывались и сравнивались с литературными данными для подтверждения корректности используемой методики. Затем проводились повторные измерения спектров пропускания микрокольцевых резонаторов из ниобата лития в криостате с последующей математической обработкой экспериментальных данных. Основные результаты. Определены скорости изменения эффективного показателя преломления ниобата лития на изоляторе, которые составили 8,81×10–6 K–1 при 294 K и 2,74×10–7 K–1 при 6 К. Значения добротности менялись по параболической зависимости от 20000 (292 K) до 18000 (6 K) с максимумом 24000 при температуре 150 K. Практическая значимость. Полученные результаты могут быть использованы для проектирования устройств интегральной оптики из ниобата лития, работающих при криогенных температурах для создания квантового компьютера на фотонах и ионах.
Исследование быстродействия электрооптического модулятора на кольцевом микрорезонаторе из тонкопленочного ниобата лития на изоляторе
2025 · ARTICLE · ru
В работе показан изготовленный интегральный электрооптический модулятор на основе кольцевого резонатора из тонкопленочного ниобата лития с нагруженной добротностью 2×104, глубиной модуляции 0,96 дБ/В и быстродействием 3,9 ГГц, перспективный для применений в области радиофотоники и квантовой оптики.
Graphene photodetector integrated on an optical waveguide
2025 в печати · ARTICLE · en
В этой статье мы описываем наши последние достижения в создании фотодетекторов на основе графена, интегрированных на оптический волновод. Графен является уникальным материалом для детектирования излучения благодаря своей рекордно низкой электронной теплоемкости и слабой электрон-фононной связи. Полученные экспериментальные данные могут быть использованы для оптимизации современных графеновых фотоприемников и разработки новых.
Low-loss reflective X-band phase shifter with wide phase control range
2025 · ARTICLE · en
Совершенствование отражающих поверхностей и антенных решеток для беспроводных СВЧ систем представляет собой важную научно-техническую задачу. Ее решение должно позволить расширить зону покрытия, повысить стабильность связи и обеспечить эффективную работу в условиях роста рабочих частот. Особую актуальность приобретают решения для высоконаправленных широкополосных радиоканалов, где существенное влияние оказывают эффекты блокировки сигнала и микромобильности. В данной работе представлена конструкция фазовращателя X-диапазона с широким диапазоном регулировки фазы и низкими потерями на отражение на основе логопериодической антенны, интегрированной с диодом. Основное внимание уделено исследованию влияния погрешностей изготовления геометрических параметров на радиофизические характеристики фазовращателя. Продемонстрировано, что предложенная геометрия антенны обеспечивает потери на отражение не более 1 дБ при диапазоне регулировки фазы до 330°. При этом допустимое отклонение геометрических параметров, не приводящее к заметному ухудшения характеристик, достигает 90 мкм.
Курсы (3)
-
Технологические основы квантовых вычислений и квантовых коммуникаций (семинар наставника) · 5 раза
2025/2026, 2024/2025, 2023/2024, 2022/2023, 2021/2022 · семинар наставника · рус
-
Устройства для квантовых вычислений и коммуникации · 3 раза
2025/2026, 2023/2024, 2022/2023 · Бакалавриат · рус
-
Квантовые компьютеры и квантовые коммуникации
2021/2022 · Магистратура · рус