Филяев Александр Александрович
Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова
Профессиональные интересы
Должности
- Аспирант — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Базовая кафедра квантовой оптики и телекоммуникаций ЗАО «Сконтел»
- Стажер-исследователь — Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Центр квантовых метаматериалов
Био
- · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2025 году.
Образование
- 2022 · Магистратура: Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, специальность «Наноинженерия», квалификация «Магистр»
- 2020 · Бакалавриат: Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, специальность «Наноинженерия», квалификация «Бакалавр»
Опыт работы
- · 2020 – 2021: Лаборант, Лаборатория «Технологии маскирующих материалов», РУНЦ «Безопасность», МГТУ им. Н.Э. Баумана
- · 2021 – 2022: Инженер, НИИ радиоэлектроники и лазерной техники, МГТУ им. Н.Э. Баумана
- · 2022 – 2025: Инженер научного проекта 2 категории, Лаборатория квантовых коммуникаций, НИТУ МИСИС
- · 2023: настоящее время Научный сотрудник, отдел разработки детекторов одиночных фотонов, ООО «КуРэйт»
- · 2025: настоящее время Стажер-исследователь, Центр квантовых метаматериалов, НИУ ВШЭ
Конференции (5)
Показать все
- · 2025: SaintPetersburg OPEN 2025 (Санкт-Петербург). Доклад: Dead time synchronization system for operation of single-photon detectors in quantum key distribution systems
- · 2023: Ежегодная межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В.Арменского (Москва). Доклад: Моделирование InGaAs/InAlAs однофотонных лавинных фотодиодов с целью оценки влияния диаметра активной области на уровень темнового счета
- · 2023: SaintPetersburg OPEN 2023 (Санкт-Петербург). Доклад: Evaluation of quantum efficiency of InGaAs/InP single-photon detectors in quantum key distribution systems
- · 2023: Российский форум «Микроэлектроника» 2023 (Сочи). Доклад: Моделирование сложной гетероструктуры InGaAs/InAlAs ОЛФД в составе детекторов одиночных фотонов
- · 2022: SaintPetersburg OPEN 2022 (Санкт-Петербург). Доклад: Afterpulse effects simulation of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes for applying in quantum key distribution systems
Идентификаторы исследователя
- ORCID:
0000-0001-7319-8001 - ResearcherID:
AEJ-3641-2022 - SPIN РИНЦ:
9454-4619 - Google Scholar: https://scholar.google.com/citations?user=gaRS7hsAAAAJ&hl=ru
- Scopus AuthorID:
57218269710
Публикации (9)
Investigation of the Effects of the Multiplication Area Shape on the Operational Parameters of InGaAs/InAlAs SPADs
2026 · ARTICLE · en
A 2D model of an InGaAs/InAlAs single-photon avalanche photodiode has been developed. The influence of the active area structure in the multiplication region on the diode’s operating parameters has been studied. It was found that changing the diameter of the structure’s active region leads to a change in the dark current in the linear part of the current–voltage curve and a change in the breakdown voltage. Reducing the diameter of the active region from 25 μm to 10 μm allowed decreasing the dark current in the linear mode by about 10 dB. It has been shown that the quality of the SPAD device can be assessed by knowing the avalanche breakdown voltage and the overall current–voltage curve plot if we consider structures with the same multiplication region thickness and different remaining layers. The higher the breakdown voltage, the better the structure’s quality due to smaller local increases in the field strength. Following this statement, we conclude that for further use in single-photon detectors, it is reasonable to pick specific SPADs from a batch on the sole basis of their current–voltage curves.
Development of an afterpulse effect model of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes for application in quantum key distribution systems
2024 · ARTICLE · en
Предмет исследования. Исследовался шумовой параметр, такой как эффект послеимпульса, который возникает в однофотонных лавинных диодах на арсениде индия-галлия/фосфиде индия при их эксплуатации в составе детектора одиночных фотонов в системах квантового распределения ключей. Цель работы. Модель эффекта послеимпульса в однофотонных лавинных диодах на арсениде индия-галлия/фосфиде индия для определения истинного значения данного шумового параметра при эксплуатации диода в составе детектора одиночных фотонов в системах квантового распределения ключей. Метод. Для экспериментального измерения вероятности послеимпульса в однофотонных лавинных диодах на арсениде индия-галлия/фосфиде индия использовался специальный стенд, все компоненты которого управляются программным обеспечением, созданным в среде LabVIEW. В основе разработанной модели вероятности послеимпульса лежит немарковский характер данного явления. Основные результаты. Для определения послеимпульса разработаны методика измерений и вероятностная модель, основанная на рекурсивном характере этого эффекта в однофотонных лавинных диодах на арсениде индия-галлия/фосфиде индия. Это позволяет производить оценку истинного значения вероятности послеимпульса по реакции на однократное срабатывание детектора одиночных фотонов с однофотонными лавинными диодами на арсениде индиягаллия/фосфиде индия в своем составе. Проведён анализ подходов к оценке послеимпульса, применяемых в мировой практике для систем квантового распределения ключей. Продемонстрированы преимущества разработанного подхода перед стандартными методами, которые не учитывают немарковскую природу рассматриваемого эффекта. Практическая значимость. Разработан подход к определению вероятности послеимпульса детектора одиночных фотонов на основе однофотонных лавинных диодов на арсениде индия-галлия/фосфиде индия в виде двух моделей — упрощённой и составной, что позволяет достичь компромисса между точностью вычислений и их сложностью для применения таких устройств в системах квантового распределения ключей.
Investigation on the effects of the multiplication area shape on the dark count rate in InGaAs/InAlAs single-photon avalanche photodiodes
2023 · ARTICLE · en
В данной работе рассматривается влияние формы области умножения на скорость темнового счета (DCR) InGaAs/InAlAs однофотонных лавинных фотодиодов (ОЛФД). Данное исследование проводится в рамках оптимизации параметров конструкции ОЛФД. Структура диода была смоделирована в расчетной среде T-CAD.
Evaluation of quantum efficiency of InGaAs/InP single-photon detectors in quantum key distribution systems
2023 · ARTICLE · en
В работе рассматривается важный параметр детекторов одиночных фотонов, такой как квантовая эффективность, ошибки в определении которой приводят существенным погрешностям в параметрах системы квантового распределения ключей, где такие детекторы занимают ключевое положение. Для оценки квантовой эффективности или вероятности детектирования фотонов предложены три модели, рассмотрены их основные достоинства и недостатки.
Investigation of the avalanche delay effect in sine-gated single-photon detector
2023 · ARTICLE · en
В данной статье рассматривается детектор одиночных фотонов (ДОФ) с синусоидальным стробированием, предназначенный для использования в системе квантового распределения ключей (КРК). Обнаружен эффект «задержки лавины» в результате эксплуатации такого детектора. Этот эффект негативно влияет на общий уровень ошибок в системе КРК. Экспериментально установлено влияние основных параметров управления детектором на эффект задержки лавины.
Comparison of Domestic Single Photon Detectors by QRate With the An-alogues by ID Quantique
2023 · ARTICLE · en
Статья посвящена сравнению характеристик детекторов одиночных фотонов производителей QRate (Россия) и ID Quantique (Швейцария). В работе исследованы их квантовые эффективности, частоты темнового счета и вероятности послеимпульсов. Результаты тестирования показали взаимозаменяемость детекторов, несоответствие зарубежных детекторов заявленным характеристикам и продемонстрировали потенциал отечественной разработки.
Modeling InGaAs/InAlAs Spads as a Part of Single-Photon Detectors to Predict Their Electrical Parameters
2023 · ARTICLE · en
We construct a model of InGaAs/InAlAs single-photon avalanche diodes in the T-CAD computing environment, in order to predict their electrical parameters, when they work as a part of single-photon detectors. The obtained results are applicable for optimizing the design of single-photon avalanche photodiodes for the use as sensitive elements in light detection devices. The main advantage of the developed model of InGaAs/InAlAs single-photon diodes is the fact that it can be integrated in the electrical control circuit of the single-photon detector to simulate the operation of the diode, which allows not only setting up the detector control system but also testing new circuit solutions.
Evaluation of the Operational Parameters of Single-Photon Detectors in Quantum Key Distribution Devices
2023 · ARTICLE · en
Automated measuring stand (AMS) for evaluation of the operational parameters of single-photon detectors (SPD) has been developed together with the software that implements the method of evaluating SPD efficiency parameters from the experimental data measured with AMS. We present graphical interface of the software, which allows generating recommendations for configuring operation mode of the detector and its subsequent integration into the quantum key distribution (QKD) system. Successful tests of the results of our work enable their implementation in the SPD production process.
Dead Time Duration and Active Reset Influence on the Afterpulse Probability of InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes
2022 · ARTICLE · en
We have performed a detailed study of the dependence of afterpulse probability in InGaAs/InP sine-gated SPAD on the dead time and the existing approach for its implementation. We demonstrated an electrical scheme combining sinusoidal gating and active reset. We have shown when such solutions are beneficial from the key distribution point of view, and enough to use a simple scheme with a snatching comparator. We have also proposed a precise method for measuring the afterpulse and presented a model describing the non-markovian dynamic of this effect. We have demonstrated that our afterpulsing measurement approach makes these measurements less dependent on the parameters of the flow of the diode and the laser pulses’ power changes, in contrast to the other methods considered in this paper.
Курсы (0)
Нет курсов.