DSA Faculty
API
← к списку преподавателей

Лазарев Михаил Владимирович

Факультет компьютерных наук

Профиль на hse.ru ↗ тел.: 27261
Публикаций
13
Языков
3
Наград
1
Конференций
0
Профиль Публикации (13) Курсы (6)

Профессиональные интересы

машинное обучениенанофизикаанализ данныхоптика

Должности

  • Научный сотрудник — Факультет компьютерных наук, Институт искусственного интеллекта и цифровых наук, Научно-учебная лаборатория методов анализа больших данных
  • Доцент — Факультет компьютерных наук, Департамент больших данных и информационного поиска

Био

  • · Начал работать в НИУ ВШЭ в 2021 году.
  • · Научно-педагогический стаж: 6 лет.

Образование

  • 2019 · PhD: Федеральная политехническая школа Лозанны
  • 2013 · Магистратура: Московский физико-технический институт (государственный университет), специальность «Прикладные математика и физика», квалификация «Магистр»
  • 2011 · Бакалавриат: Московский физико-технический институт (государственный университет), специальность «Прикладные математика и физика», квалификация «Бакалавр»

Опыт работы

  • · Научный сотрудник
  • · Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» Факультет компьютерных наук Научно-учебная лаборатория методов анализа больших данных
  • · PhD student, Исследователь в лаборатории физики наноструктур LPN EPFL
  • · Ассистент профессора на факультете SB EPFL (курс общей физики)
  • · Лаборант в теоретическом отделе ИТПЭ РАН

Награды и поощрения

  • · Благодарность факультета компьютерных наук НИУ ВШЭ (июль 2023)

Идентификаторы исследователя

Публикации (13)

Tailored-Potential Semiconductor Quantum Nanostructures Grown in Inverted Pyramids

2019 · ARTICLE · en

We have focused on the ability to tune the aluminum (Al) content of the AlGaAs alloy along the growth direction in inverted pyramids (by MOVPE), thus tailoring the potential along a QWR nanostructure. Three parabolic-potential QDs (PQDs) of different potential gradients have thus been realized. The parabolic profiles were changed systematically by fixing the minimum and maximum Al content and varying the total length (120 nm, 240 nm, 480 nm) of the resulting parabolic QDs. The impact of the different effects of quantum confinement was investigated using polarization-resolved and time-resolved photoluminescence spectroscopy. The results indicate that such PQDs can be used as a model structure for investigating the transition in optical properties from QWR-like to QD-like structures. Two extreme cases in terms of confinement strength were also realized: a thin, lens shaped GaAs QD, and a long (480 nm) AlGaAs QWR as a model structure of infinitely long QWRs. Polarization-resolved measurements show that the QD and the QWR emit in different polarization, aligned perpendicular and mostly parallel to the growth direction, respectively. This is because the low energy states in the valence band (VB) of the QWR are dominated by light hole (LH) components whereas for the QD, the VB states are more heavy hole (HH) -like. Using the PQDs as a model structure with intermediate confinement between QWRs and thin QDs, we have investigated the impact of the quantum confinement on the optical polarization properties. Using polarization resolved spectroscopy we have analyzed and compared the degree of linear polarization (DOLP) of PQDs of different confinement strength. Whereas these PQDs emit light mostly polarized along the growth direction, like the corresponding QWRs, the characteristics of their DOLP spectra are more complex. Supplementing the experimental results with detailed numerical modelling, we show that the features of the DOLP spectra depend on valence band mixing, broadening of individual transitions and state filling effects. We have also demonstrated a method for extracting the occupation numbers, the exciton effective temperature and the Fermi levels in these structures, and observed multiexcitonic states in the emission spectra. MOVPE in inverted pyramids provides nanostructure engineering possibilities with fine control of the confinement geometry and thus the polarization of the emitted photons. We identified several geometries in which fine tuning of the geometry can yield switching from HH-like and LH-like transitions. In particular, single QDs of different aspect ratios, QD molecules of different barrier structures, and several QD superlattice systems were investigated numerically. In addition, the impact of an external electric field on the VB states of such system structurally tuned near the switching point was studied theoretically. The results demonstrate that dynamic switching of polarization can be achieved with electric fields, and first step towards experimental implementation using Schottky diodes are presented. In conclusion, in this work we show that MOVPE in inverted pyramids provides possibilities to grow a large variety of quantum nanostructures with high structural accuracy. Control of the confinement geometry was used as a basis for controlling the polarization state of the emitted light. The knowledge obtained in this work should be useful for the fabrication of future polarization-controlled single photon devices.

DOI ↗ PDF ↗

Parabolic Tailored-Potential Quantum-Wires Grown in Inverted Pyramids

2015 · ARTICLE · en

Quasi-one-dimensional AlGaAs quantum wires (QWRs) with parabolic heterostructure profiles along their axis were fabricated using metallorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on patterned (111)B GaAs substrates. Tailoring of the confined electronic states via modification in the parabolic potential profile is demonstrated using model calculations and photoluminescence spectroscopy. These novel nanostructures are useful for studying the optical properties of systems with dimensionality between zero and one.

DOI ↗ PDF ↗

Особенности формирования запрещённых зон в одномерных фотонных кристаллах большого контраста

2011 · ARTICLE · ru

Обычно образование запрещенных зон в фотонных кристаллах (ФК) связывается с выполнением условия брэгговского отражения, когда длина оптического пути через элементарную ячейку порядка половины длины волны. Показано, что при большом контрасте значений адмиттанса слоев, образующих одномерный ФК, возможно образование запрещённой зоны в случае, когда длина оптического пути через элементарную ячейку много меньше половины длины волны. Физическая реализация таких ФК возможна в СВЧ диапазоне. Дано качественное объяснение этого эффекта на основе понятия многопроходности. Выведено условие резонансного отражения, применимое к фотонным кристаллам большого контраста.

PDF ↗

Курсы (6)